RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
9.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2126
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link