RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3442
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link