RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
41
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2574
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link