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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
1870
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
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