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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
3505
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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