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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
41
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2591
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
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