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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
41
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
23
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
2591
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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