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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
59
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
59
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2181
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641162 8GB
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