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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3564
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641162 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
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