RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
41
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2330
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link