Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    41 left arrow 101
    En 59% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 7.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.2 left arrow 13.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 101
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 14.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 7.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2366 left arrow 1313
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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