RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
101
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
101
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
1313
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5471-026.A00LF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link