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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Compara
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
3208
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2C1866C10 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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