RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
65
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
32
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
3208
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link