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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Compara
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
65
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
49
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
2504
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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