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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
49
65
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
49
读取速度,GB/s
6.1
10.7
写入速度,GB/s
4.2
8.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2504
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
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