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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.2
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
37
读取速度,GB/s
16.9
15.1
写入速度,GB/s
12.0
12.2
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2873
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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