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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
17.5
写入速度,GB/s
870.4
12.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3283
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
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