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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
8500
En 2.75 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
23400
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
2761
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
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