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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
8500
左右 2.75 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
6.1
16.3
写入速度,GB/s
4.2
12.2
内存带宽,mbps
8500
23400
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2761
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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