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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
56
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
56
读取速度,GB/s
16.1
15.8
写入速度,GB/s
10.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2597
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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