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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
7.2
15.2
写入速度,GB/s
3.0
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2917
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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