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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
52
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
26
读取速度,GB/s
9.9
11.8
写入速度,GB/s
8.2
5.3
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
1884
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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