TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

总分
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

总分
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 16.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    870.4 left arrow 12.2
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 87
    左右 -190% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 5300
    左右 4.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    87 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    3,155.6 left arrow 16.3
  • 写入速度,GB/s
    870.4 left arrow 12.2
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    417 left arrow 2761
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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