RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
87
Wokół strony -190% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2761
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link