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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1929
2179
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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