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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2741
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
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