RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2741
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMZ4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link