RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2741
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link