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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Compara
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
49
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2534
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
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