RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Compara
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Puntuación global
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2350
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link