RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2350
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link