RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
64
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2052
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link