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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2346
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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