RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2346
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link