RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
46
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3045
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link