RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Compara
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2361
2430
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link