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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Compara
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
44
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2302
3191
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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