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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
13.2
16.7
写入速度,GB/s
9.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3191
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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