RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Compara
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
30
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
30
Velocidad de lectura, GB/s
20.5
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
16.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3530
3564
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 992RE04G800UV-FCDT 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link