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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
52
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
52
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2260
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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