RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Compara
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
28
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
28
Velocidad de lectura, GB/s
20.5
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
16.4
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3530
2663
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link