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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
52
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
3733
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
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