RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2642
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link