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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
73
En -192% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3845
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
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