RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony -192% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3845
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link