RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
52
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
2346
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link