RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
52
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2346
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link