RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
74
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
74
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
1925
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link