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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3039
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
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